PHASE-CHANGING MEMORY

La présente description concerne un procédé de fabrication d'une cellule mémoire comprenant :a) la formation d'un empilement (16, 18, 22, 24, 26) comprenant une première couche (16) en un matériau à changement de phase et une deuxième couche (18) conductrice ;b) la formation d'un premier masque (20) sur l'empilement recouvrant uniquement l'emplacement de la cellule mémoire ;c) la gravure des parties de l'empilement non recouvertes par le premier masque (20). A memory cell is manufactured by: (a) forming a stack comprising a first layer made of a phase change material and a second layer made of a conductive material; (b) forming a mask on the stack covering only the memory cell location; and (c) etching portions of the stack not covered by the first mask. The formation of the mask covering only the memory cell location comprises defining a first mask extending in a row direction for each row of memory cell locations and then patterning the first mask in a column direction for each column of memory cell locations.