SINGLE MODE SEMICONDUCTOR LASER WITH PHASE CONTROL
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlasers umfassend die Verfahrensschritte: Erzeugen einer Lateralstrukturschichtschicht, zumindest in den Materialabtragsbereichen, durch die eine Grundauswahl der durch stimulierte Emission verstärkten oder verstärkbaren Lasermoden...
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| Hauptverfasser: | , |
|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; fre ; ger |
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| Zusammenfassung: | Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlasers umfassend die Verfahrensschritte: Erzeugen einer Lateralstrukturschichtschicht, zumindest in den Materialabtragsbereichen, durch die eine Grundauswahl der durch stimulierte Emission verstärkten oder verstärkbaren Lasermoden erfolgt und Erzeugen eines optischen Elements zur Definition der Phasenlage der verstärkten oder verstärkbaren Lasermoden, wobei das optische Element derart erzeugt wird, dass dieses in Längsrichtung des Wellenleiterstegs einen Abstand d zu einem Ende der Lateralstrukturschicht aufweist, der die Bedingungerfüllt, wobei m eine natürliche Zahl m∈N und λeff die effektive Wellenlänge im Material ist.
The invention relates to a method for producing a semiconductor laser comprising the method steps: generating a lateral structure layer, at least in the material abrasion areas, a basic selection of the laser modes amplified or amplifiable through stimulated emission taking place via the lateral structure layer; and generating an optical element for defining the phasing of the amplified or amplifiable laser modes, the optical element being generated in such a manner that it has a distance d to an end of the lateral structure layer in the longitudinal direction of the waveguide ridge, distance d fulfilling the conditionmind-m·λeff2≤λeff4,being a natural number (m∈) and λeff being the effective wavelength in the material. |
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