SEMICONDUCTOR POWER MODULE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
Die Erfindung betrifft ein Leistungshalbleitermodul (2) mit zumindest einem Leistungshalbleiterelement (4), das flächig auf einem Substrat (6) aufliegt, zumindest einem metallischen Kontaktierungselement (16) und zumindest einer Stromschiene (20) mit einem Kontaktierungsabschnitt (20a). Um eine lang...
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Hauptverfasser: | , |
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre ; ger |
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Zusammenfassung: | Die Erfindung betrifft ein Leistungshalbleitermodul (2) mit zumindest einem Leistungshalbleiterelement (4), das flächig auf einem Substrat (6) aufliegt, zumindest einem metallischen Kontaktierungselement (16) und zumindest einer Stromschiene (20) mit einem Kontaktierungsabschnitt (20a). Um eine lange Lebensdauer und einen geringen Platzbedarf zu erreichen, wird vorgeschlagen, dass das metallische Kontaktierungselement (16) auf einer dem Substrat (6) abgewandten Seite des Leistungshalbleiterelements (4) flächig aufliegt, wobei der Kontaktierungsabschnitt (20a) unmittelbar mit dem metallischen Kontaktierungselement (16) kontaktiert und im Wesentlichen senkrecht zur dem Substrat (6) abgewandten Seite des Leistungshalbleiterelements (4) verlaufend angeordnet ist. |
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