ELECTRONIC UNIT

Ausgegangen wird von einer Elektronikeinheit umfassend zumindest einen Schaltungsträger mit einem keramischen Trägersubstrat aus Si3N4, insbesondere ein AMB (Active Metal Brazing) -Schaltungsträger, wobei das Trägersubstrat eine Ober- und eine Unterseite aufweist und auf der Ober- und/oder Unterseite zumindest eine Leiterstruktur umfassend zumindest eine Schicht aus Kupfer oder einer Kupferlegierung angeordnet ist. Ferner weist die Leiterstruktur eine äußerste Abschlussfläche auf, auf welcher Kontaktierungsstellen ausgebildet sind, die mit Kontaktanschlüssen zumindest eines elektrischen und/oder elektronischen Bauelements unter Ausbildung einer elektronischen Schaltung der Elektronikeinheit elektrisch kontaktiert sind. Die elektronische Schaltung umfasst dabei zumindest einen MLCC-Keramikvielschicht-Chipkondensator (Multi Layer Ceramic Capacitor). Zusätzlich weist die Leiterstruktur zumindest einen gegenüber der äußersten Abschlussfläche vertieften Strukturbereich auf, wobei in dem zumindest einen vertieften Strukturbereich tiefenversetzte Kontaktierungsstellen ausgebildet sind, die dann mit korrespondierenden Kontaktanschlüssen des zumindest einen MLCC-Keramikvielschicht-Chipkondensator elektrisch kontaktiert sind, beispielsweise mittels einer Lot-, Sinter- oder Leitkleberverbindung.