METHOD FOR DEPOSITING A LAYER OF CHALCOGENIDE ON A SUBSTRATE
L'invention concerne un procédé de dépôt de couche atomique de chalcogénure sur un substrat. Le substrat est successivement exposé à un premier précurseur en phase vapeur comprenant un élément métallique et à un second précurseur en phase vapeur comprenant un élément oxydant, de manière à forme...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre ; ger |
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Zusammenfassung: | L'invention concerne un procédé de dépôt de couche atomique de chalcogénure sur un substrat. Le substrat est successivement exposé à un premier précurseur en phase vapeur comprenant un élément métallique et à un second précurseur en phase vapeur comprenant un élément oxydant, de manière à former une monocouche monomoléculaire de chalcogénure à partir desdits premier et second précurseurs. Selon l'invention, lors des étapes de dépôt des précurseurs sur le substrat, la température du substrat reste inférieure à 300°C et/ou la température varie à une vitesse non nulle dont la valeur absolue est inférieure à 100° C.min -1 . Ainsi, de façon avantageuse, l'invention permet de recouvrir la surface d'un substrat avec une couche de chalcogénure formant une couche de passivation de très bonne qualité, sans qu'il soit pour cela nécessaire de recuire la couche après dépôt. La gestion/évacuation des impuretés étant partiellement réalisée durant le dépôt, l'invention limite l'apparition de cloquage au sein des films déposés. |
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