Device and method for the manufacture of a wafer having selective positioning in the carrier system

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von Festkörperschichten (5), insbesondere zur Verwendung als Wafer. Das Verfahren umfasst mindestens die folgenden Schritte: Bereitstellen mindestens eines Werkstücks (1) zum Ablösen der Festkörperschichten (5), wobei das Werkstück (1) zumindest eine exponierte Oberfläche aufweist, Erzeugen und/oder Bereitstellen einer Trägereinheit (6) zum Aufnehmen mindestens einer Festkörperschicht (5), wobei die Trägereinheit (6) zumindest eine Aufnahmeschicht (8) zum Halten der Festkörperschicht (5) aufweist, die zumindest abschnittweise von einer Ablöseschicht (10) überlagert wird, zumindest abschnittsweises Verbinden der Aufnahmeschicht (8) mit der exponierten Oberfläche (2) des Werkstücks (1) unter Bildung einer Kompositstruktur, wobei die Ablöseschicht (10) das Werkstück (1) zumindest abschnittsweise in Umfangsrichtung umschließt, und Beaufschlagen der Kompositstruktur mit einem inneren und/oder äußeren Spannungsfeld in der Art, dass die Festkörperschicht (5) entlang einer sich innerhalb des Werkstücks (1) erstreckenden Ebene durch eine Rissausbreitung (48) von dem Werkstück (1) abgelöst wird, wobei der Riss (48) sich zunächst im Bereich der Ablöseschicht (10) ausbreitet und mittels der Ablöseschicht (10) in das Werkstück (1) eingeleitet wird.