Light emitting diode

Provided is a light emitting diode (100,100A,100B,100C,100D). In one embodiment, the light emitting diode includes: a light emitting structure including a first conductive type semiconductor layer (130), a second conductive type semiconductor layer (150), and an active layer (140) between the first...

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Son, Hyo Kun
Format: Patent
Sprache:eng ; fre ; ger
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