Light emitting device comprising metal oxide semiconductor layer and pattern for light extraction on active layer
Provided is a light emitting device, which includes a first conductive type semiconductor layer (130), an active layer (140), a roughness pattern (145), and a second conductive type semiconductor layer (150). The active layer is disposed on the first conductive type semiconductor layer. The roughnes...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre ; ger |
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