Back illuminated sensor device comprising an infrared radiation shield

The sensor has a semiconductor substrate (40) comprising a face to be illuminated with a light beam (64) and another face whose side is provided with photodetection zones (42). The latter face is covered with a stack (48) of interconnection levels having metal tracks (50) topped by an insulating material, and with another semiconductor substrate (56) connected to the material of last level. Through-vias (66) in contact with connection elements of the levels are formed on the latter substrate. One of the levels has conductive zones (54) i.e. shielding zones, opposite to the detection zones. An independent claim is also included for a method for forming a back-illuminated image sensor. L'invention concerne un capteur d'images comprenant un premier substrat (40) ayant une première face destinée à être éclairée (64) et une seconde face du côté de laquelle est formée une pluralité de zones de photodétection (42), la seconde face étant recouverte d'un empilement de niveaux d'interconnexion comprenant des pistes métalliques surmontées de matériau isolant, et d'un second substrat (56) reporté sur le matériau isolant du dernier niveau d'interconnexion, dans lequel sont formés des vias traversants (66) en contact avec des éléments de connexion des niveaux d'interconnexion, au moins un niveau d'interconnexion comportant des zones conductrices de blindage (54) en regard des zones de photodétection.