Reflective X-ray microscope and inspection system for examining objects with wavelengths 100nm

A first subsystem with a first concave mirror (S1) and a second convex mirror (S2) both centered on an optical axis (HA) fits in a beam path from an object plane to an image plane and has a first optical element for wavelengths less than 30 nm. A first image (Z) is formed in a first-image plane (2). A second subsystem fits in a beam path after the first image. Independent claims are also included for the following: (a) An inspection system for examining objects, e.g. masks for microlithography with wavelengths less than 100 nm, preferably less than 30 nm; (b) A method for inspecting objects, e.g. masks for microlithography with wavelengths less than 100 nm. Die Erfindung betrifft ein Inspektionssystem für die Untersuchung von Objekten, insbesondere Masken für die Mikrolithographie mit Wellenlängen < 100 nm, vorzugsweise < 30 nm, mit - einem Beleuchtungssystem zur Ausleuchtung eines Feldes in einer Objektebene (1), wobei - in der Objektebene innerhalb des ausgeleuchteten Feldes das zu untersuchende Objekt angeordnet ist; - einem Abbildungssystem für Wellenlängen ‰¤ 100 nm zur vergrößernden Abbildung wenigstens eines Ausschnittes des Objektes in eine Bildebene (3); - einem in der Bildebene (3) angeordneten Bildaufnahmesystem.