METHOD FOR MINIMIZING TUNGSTEN OXIDE FORMATION DURING SELECTIVE SIDEWALL OXIDATION OF TUNGSTEN-SILICON GATES

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	STORBECK, OLAF, ROTERS, GEORG, FRIGGE, STEFFEN, SACHSE, JENS-UWE, SCHOER, ERWIN, HAYN, REGINA, STADTMUELLER, MICHAEL, KEGEL, WILHELM
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre ; ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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