Pressure sensor device and its manufacturing method

Pressure sensor device and its manufacturing method

Auf einer Drucksensoranordnung (52) mit einer Halbleiter-Trägerplatte (12), ist eine Membran (14) angeordnet. Die Halbleiter-Trägerplatte wird beispielsweise in Flip-Chip-Technik auf einem Schaltungsträger (50) angeordnet. Die Membran (14) ist dem Schaltungsträger (50) zugewandt und wird so durch de...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: RUDOLPH, TOM, KOBER, SVEN
Format: Patent
Sprache:eng ; fre ; ger
Schlagworte:
MEASURING
MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER,MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
PHYSICS
TESTING
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creator RUDOLPH, TOM
KOBER, SVEN
description Auf einer Drucksensoranordnung (52) mit einer Halbleiter-Trägerplatte (12), ist eine Membran (14) angeordnet. Die Halbleiter-Trägerplatte wird beispielsweise in Flip-Chip-Technik auf einem Schaltungsträger (50) angeordnet. Die Membran (14) ist dem Schaltungsträger (50) zugewandt und wird so durch den Schaltungsträger vor mechanischer Zerstörung geschützt. A piezo-resistive component or electrode arrangement is arranged on a carrier plate. The spacing between the carrier plate (12) and a circuit substrate is defined by the dimensions of electrically conductive connecting elements (18 to 28). A diaphragm is provided between a cavity and the circuit substrate. The gap between the carrier plate and circuit substrate may be less than 1 mm. An Independent claim is also included for a manufacturing method of a pressure sensor device.
format Patent
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Die Halbleiter-Trägerplatte wird beispielsweise in Flip-Chip-Technik auf einem Schaltungsträger (50) angeordnet. Die Membran (14) ist dem Schaltungsträger (50) zugewandt und wird so durch den Schaltungsträger vor mechanischer Zerstörung geschützt. A piezo-resistive component or electrode arrangement is arranged on a carrier plate. The spacing between the carrier plate (12) and a circuit substrate is defined by the dimensions of electrically conductive connecting elements (18 to 28). A diaphragm is provided between a cavity and the circuit substrate. The gap between the carrier plate and circuit substrate may be less than 1 mm. An Independent claim is also included for a manufacturing method of a pressure sensor device.</description><edition>7</edition><language>eng ; fre ; ger</language><subject>MEASURING ; MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER,MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE ; PHYSICS ; TESTING</subject><creationdate>2003</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20030122&amp;DB=EPODOC&amp;CC=EP&amp;NR=1278053A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76547</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20030122&amp;DB=EPODOC&amp;CC=EP&amp;NR=1278053A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>RUDOLPH, TOM</creatorcontrib><creatorcontrib>KOBER, SVEN</creatorcontrib><title>Pressure sensor device and its manufacturing method</title><description>Auf einer Drucksensoranordnung (52) mit einer Halbleiter-Trägerplatte (12), ist eine Membran (14) angeordnet. 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