Pressure sensor device and its manufacturing method
Auf einer Drucksensoranordnung (52) mit einer Halbleiter-Trägerplatte (12), ist eine Membran (14) angeordnet. Die Halbleiter-Trägerplatte wird beispielsweise in Flip-Chip-Technik auf einem Schaltungsträger (50) angeordnet. Die Membran (14) ist dem Schaltungsträger (50) zugewandt und wird so durch de...
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Format: | Patent |
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Zusammenfassung: | Auf einer Drucksensoranordnung (52) mit einer Halbleiter-Trägerplatte (12), ist eine Membran (14) angeordnet. Die Halbleiter-Trägerplatte wird beispielsweise in Flip-Chip-Technik auf einem Schaltungsträger (50) angeordnet. Die Membran (14) ist dem Schaltungsträger (50) zugewandt und wird so durch den Schaltungsträger vor mechanischer Zerstörung geschützt.
A piezo-resistive component or electrode arrangement is arranged on a carrier plate. The spacing between the carrier plate (12) and a circuit substrate is defined by the dimensions of electrically conductive connecting elements (18 to 28). A diaphragm is provided between a cavity and the circuit substrate. The gap between the carrier plate and circuit substrate may be less than 1 mm. An Independent claim is also included for a manufacturing method of a pressure sensor device. |
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