Verfahren zur Herstellung einer monolithischen Struktur mit einem Perovskit-Kondensator

A method for the fabrication of a high capacity capacitor consists of: (a) coating a silicon substrate with a first insulating layer (6); (b) forming and engraving successively onto the substrate a first electrode (10), a dielectric in a ferro-electric material with a high constant dielectric (11) and a second electrode (12); (c) coating the structure with a second insulating layer (14) to encapsulate the structure of the capacitor; (d) producing some contact openings towards the semiconducting zones and towards the first electrode; (e) depositing and engraving a first conducting layer (21-25); (f) depositing a third protective insulating layer (30); (g) depositing a second conducting layer (31); (h) establishing in particular a contact with the upper electrode of the component; (i) depositing a final passivation layer (33). The ferro-electric dielectric is a perovskite. La présente invention concerne un procédé de fabrication, sur un substrat de silicium, d'un condensateur de forte capacité, comprenant les étapes successives suivantes : revêtir le substrat d'une première couche isolante (6), former et graver successivement sur le substrat : une première électrode (10), un diélectrique en un matériau ferroélectrique à forte constante diélectrique (11), et une deuxième électrode (12), revêtir la structure d'une deuxième couche isolante (14) d'encapsulation de la structure de condensateur, réaliser des ouvertures de contact vers des zones semiconductrices et vers la première électrode du condensateur, déposer et graver une première couche conductrice (21-25), déposer une troisième couche isolante de protection (30), déposer une deuxième couche conductrice (31) établissant en particulier un contact avec l'électrode supérieure du composant, déposer une couche de passivation finale (33).