OPC-process for patterns of a phase shifting mask and a trim mask, corresponding apparatus and integrated circuit device

Erläutert wird unter anderem ein Verfahren, bei dem zunächst in einem ersten Korrekturschritt (60) das Muster (56) für die Phasensprungmaske korrigiert wird. Anschließend wird in einem zweiten Korrekturschritt (66) das Muster für die Trimmmaske bei Einsatz des korrigierten Musters (64) für die Phasensprungmaske korrigiert. Durch die beiden nacheinander ausgeführten Korrekturschritte lassen sich Maskendaten für die Herstellung höchstintegrierter Schaltkreise auf einfache Art korrigieren. A raw layout (10) for manufacturing a circuit structure is provided using a lithographic technique. From the layout, a pattern (56) for a phase-shift mask and a pattern for a trim mask are formed. The pattern for the phase-shift mask is corrected in a first correction step (60). The pattern for the trim mask is corrected using the corrected pattern for the phase shift mask. Independent claims are also included for: (a) a data processing apparatus for correcting patterns (b) a program for producing corrected patterns (c) an integrated circuit structure (d) a phase-shift mask (e) a trim mask