Uncoupled wafer inclination measurement with an ellipsometer with spectral photometer and measurement of focus by a reflecting objective

Die Erfindung bezieht sich auf eine optische Meßanordnung mit einem Ellipsometer (45) und einer Einrichtung zur Ermittlung und Korrektur von Richtungsabweichungen zwischen der Normalen auf die Probenoberfläche und der Winkelhalbierenden (25) zwischen Ein- und Ausfallstrahl (23, 24) des Ellipsometers (45) sowie weiterhin auf eine Meßanordnung mit einem Spiegelobjektiv und einer Einrichtung zur Ermittlung von Richtungsabweichungen zwischen der Normalen auf die Probenoberfläche und der optischen Achse des Spiegelobjektivs, die ein Umlenkelement im nicht benutzten Aperturraum des Spiegelobjektivs aufweist. Bei einer optischen Meßanordnung der eingangs beschriebenen Art ist ein Richtungskontrollstrahl (30) auf die Probe (P) gerichtet; weiterhin sind optische Mittel zur Abbildung des Rückreflexes des Richtungskontrollstrahles (30) auf einen Flächendetektor vorgesehen, der mit einer Auswerteschaltung (46) in Verbindung steht, und an den Ausgängen der Auswerteschaltung (46) sind Stellbefehle für einen Probentisch (12) verfügbar. Mit den Stellbefehlen wird die Verkippung des Probentisches veranlaßt, bis der Rückreflex auf dem Flächendetektor die Position eingenommen hat, bei der die Richtung der Normalen mit der Richtung der Winkelhalbierenden (25) übereinstimmt. A positioning system (47,47a) receives positioning commands of an evaluation circuit (46). A specimen stage (12) tilts until the position of the return reflection of the direction monitoring beam on position-sensitive area detector (39) corresponds to a given position at which the direction of the line normal to the specimen surface corresponds to the direction of the angle bisector. An Independent claim is included for: (a) a method for measuring the inclination between a line perpendicular to a measurement location on a specimen and an optical axis defined by an objective.