Trench capacitor with insulating collar and buried contact and corresponding manufacturing process

Trench capacitor with insulating collar and buried contact and corresponding manufacturing process

Die vorliegende Erfindung schafft einen Grabenkondensator, insbesondere zur Verwendung in einer Halbleiter-Speicherzelle (100), mit einem Isolationskragen (168) mit einem Graben (108), der in einem Substrat (101) gebildet ist; dem Isolationskragen (168), der im oberen Bereich des Grabens (108) gebil...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: DEQUIEDT, ODILE, MORHARD, KLAUS-DIETER, LAMPRECHT, ALEXANDRA, WURSTER, KAI, SCHREMS, MARTIN, FAUL, JUERGEN
Format: Patent
Sprache:eng ; fre ; ger
Schlagworte:
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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creator DEQUIEDT, ODILE
MORHARD, KLAUS-DIETER
LAMPRECHT, ALEXANDRA
WURSTER, KAI
SCHREMS, MARTIN
FAUL, JUERGEN
description Die vorliegende Erfindung schafft einen Grabenkondensator, insbesondere zur Verwendung in einer Halbleiter-Speicherzelle (100), mit einem Isolationskragen (168) mit einem Graben (108), der in einem Substrat (101) gebildet ist; dem Isolationskragen (168), der im oberen Bereich des Grabens (108) gebildet ist; einer optionellen vergrabenen Platte (165) im Substratbereich in der Umgebung des unteren Bereichs des Grabens (108) als erste Kondensatorplatte; einer dielektrischen Schicht (164) zur Verkleidung des unteren Bereichs des Grabens (108) und des Isolationskragens (168) als Kondensatordielektrikum; einem in den Graben (108) gefüllten leitenden zweiten Füllmaterial (161) als zweite Kondensatorplatte und einem vergrabenen Kontakt unterhalb der Oberfläche des Substrats (101); wobei das Substrat (101) unterhalb seiner Oberfläche im Bereich des vergrabenen Kontakts einen durch Implantation, Plasmadotierung und/oder Gasphasenabscheidung eingebrachten Dotierbereich (250; 250') aufweist. Vorzugsweise wird an der Grenzfläche (201) des vergrabenen Kontakts eine Tunnelschicht, insbesondere eine Oxid-, Nitrid- oder Oxinitridschicht, gebildet. Below its surface, in the region of the buried contact, the substrate (101) has a doped zone (250) produced by implantation, plasma doping and/or gas phase precipitation processes. The pit capacitor with an insulation collar and a buried contact, for use in a semiconductor memory cell (100), s used to produce a doped zone.
format Patent
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Vorzugsweise wird an der Grenzfläche (201) des vergrabenen Kontakts eine Tunnelschicht, insbesondere eine Oxid-, Nitrid- oder Oxinitridschicht, gebildet. Below its surface, in the region of the buried contact, the substrate (101) has a doped zone (250) produced by implantation, plasma doping and/or gas phase precipitation processes. 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Vorzugsweise wird an der Grenzfläche (201) des vergrabenen Kontakts eine Tunnelschicht, insbesondere eine Oxid-, Nitrid- oder Oxinitridschicht, gebildet. Below its surface, in the region of the buried contact, the substrate (101) has a doped zone (250) produced by implantation, plasma doping and/or gas phase precipitation processes. 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