Trench capacitor with insulating collar and buried contact and corresponding manufacturing process

Die vorliegende Erfindung schafft einen Grabenkondensator, insbesondere zur Verwendung in einer Halbleiter-Speicherzelle (100), mit einem Isolationskragen (168) mit einem Graben (108), der in einem Substrat (101) gebildet ist; dem Isolationskragen (168), der im oberen Bereich des Grabens (108) gebildet ist; einer optionellen vergrabenen Platte (165) im Substratbereich in der Umgebung des unteren Bereichs des Grabens (108) als erste Kondensatorplatte; einer dielektrischen Schicht (164) zur Verkleidung des unteren Bereichs des Grabens (108) und des Isolationskragens (168) als Kondensatordielektrikum; einem in den Graben (108) gefüllten leitenden zweiten Füllmaterial (161) als zweite Kondensatorplatte und einem vergrabenen Kontakt unterhalb der Oberfläche des Substrats (101); wobei das Substrat (101) unterhalb seiner Oberfläche im Bereich des vergrabenen Kontakts einen durch Implantation, Plasmadotierung und/oder Gasphasenabscheidung eingebrachten Dotierbereich (250; 250') aufweist. Vorzugsweise wird an der Grenzfläche (201) des vergrabenen Kontakts eine Tunnelschicht, insbesondere eine Oxid-, Nitrid- oder Oxinitridschicht, gebildet. Below its surface, in the region of the buried contact, the substrate (101) has a doped zone (250) produced by implantation, plasma doping and/or gas phase precipitation processes. The pit capacitor with an insulation collar and a buried contact, for use in a semiconductor memory cell (100), s used to produce a doped zone.