ALUMINIUM GALLIUM NITRIDE (ALGAN) BASED HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	AGARWAL, ANANT, K, DRIVER, MICHAEL, C, MESSHAM, ROWAN, L
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre ; ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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