Optical filter comprising a multiple quantum well structure

The multiple well quantum filter structure has an upper energy (E1) and lower energy level (E0) structure. The structure has a resonant absorption of an optical wavelength. Optical radiation excites charge carriers in the lower level when a voltage field is applied. The charge carriers are transferr...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	WEHBE-ALAUSE, HELENE, KNAP, WOJCIECH, MOSSER, VINCENT
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre ; ger
Schlagworte:	DEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH ISMODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THEDEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY,COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g.SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING FREQUENCY-CHANGING MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES NANOTECHNOLOGY NON-LINEAR OPTICS OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS OPTICAL LOGIC ELEMENTS OPTICS PERFORMING OPERATIONS PHYSICS SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF TRANSPORTING
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Beschreibung
Zusammenfassung:	The multiple well quantum filter structure has an upper energy (E1) and lower energy level (E0) structure. The structure has a resonant absorption of an optical wavelength. Optical radiation excites charge carriers in the lower level when a voltage field is applied. The charge carriers are transferred to the upper level under the effect of optical radiation. L'invention est relative à un filtre optique (9) fonctionnant à température ambiante, comprenant une structure à multipuits quantiques (1) réalisée à partir de couches alternées de matériaux semiconducteurs et présentant une absorption résonante d'un rayonnement optique de longueur d'onde donnée entre au moins deux niveaux d'énergie d'un même puits quantique (1) de la bande de conduction ou de valence, l'un desdits niveaux d'énergie appelé niveau inférieur E0 comportant des porteurs de charge et l'autre niveau appelé niveau supérieur E1 recevant des porteurs de charge provenant dudit niveau inférieur E0 et excités sous l'effet du rayonnement optique considéré, les niveaux d'énergie se déplaçant sous l'action d'un champ électrique appliqué à la structure.