Semiconductor power module

Es wird ein Leistungshalbleitermodul angegeben, bei welchem mindestens ein Halbleiterchip, welcher auf einer Grundplatte angebracht ist von je einem Kontaktstempel kontaktiert wird. Die Lage der Kontaktstempel ist entsprechend einem Abstand von den Halbleiterchips zu einem die Kon-taktstempel aufneh...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: FALLER, KURT, STEINRUCK, FERDINAND, FREY, TONI, KESER, HELMUT, ZEHRINGER, RAYMOND
Format: Patent
Sprache:eng ; fre ; ger
Schlagworte:
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Beschreibung
Zusammenfassung:Es wird ein Leistungshalbleitermodul angegeben, bei welchem mindestens ein Halbleiterchip, welcher auf einer Grundplatte angebracht ist von je einem Kontaktstempel kontaktiert wird. Die Lage der Kontaktstempel ist entsprechend einem Abstand von den Halbleiterchips zu einem die Kon-taktstempel aufnehmenden Hauptanschluss individuell einstellbar. Die Kontaktstempel werden entweder mittels einer Feder mit Druck beaufschlagt oder mittels einer Lotschicht fixiert. The module includes at least one semiconductor chip (2) provided with its respective main electrode pair (2,4). One electrode is provided on a ground plate (5) and the other is in contact with a plunger (8). Also provided are two main connectors (6,7) with the ground plate electrically connected to one of the connectors (6) and the plunger in contact with the other (7). The position of each plunger corresponds to the distance between the contacting electrode of each chip to the corresponding main connector. The plungers are installed between the electrode and connector and are held there by two solder layers (9,10).