Method for manufacturing surface emitting laser diodes

The mfr. method involves using a semiconductor substrate, e.g. gallium arsenide, with a mechanical mask having controlled openings to make sides at typically 45 degrees. These sides can form Bragg reflectors by alternating materials, notably gallium arsenide and gallium aluminium arsenide. In a first mfr. stage, a layer (CI) of gallium arsenide is deposited followed by layers (CII) of confining gallium aluminium arsenide. Over this are layers (CIII) which form the laser structure itself by a standard arrangement followed by a second gallium aluminium arsenide confinement layer (CIV). Ionic etching selectively re-exposes the first stage layer. Chemical attack is then used to form a cantilever structure which is removed by ionic finishing. L'invention concerne un procédé de réalisation d'un ensemble de diodes lasers à émission surfacique. Ce procédé comprend la réalisation de réflecteurs par épitaxie d'au moins un matériau semiconducteur au travers d'un masque présentant des ouvertures avec des flancs inclinés. Ce procédé conduit à l'obtention des réflecteurs de Bragg obtenus in situ permettant de s'affranchir de la gravure ionique d'un substrat semiconducteur puis d'une phase de conditionnement de la surface de l'échantillon avant l'élaboration de la structure laser recherchée. Application: Source optique de puissance.