COPPER-BASED PASTE CONTAINING COPPER ALUMINATE FOR MICROSTRUCTURAL AND SHRINKAGE CONTROL OF COPPER-FILLED VIAS

Une pâte à base de cuivre est décrite pour le remplissage des traversées et la formation de réseaux de surfaces conducteurs sur les substracts en céramique dans les dispositifs à puces semi-conducteurs. La pâte contient de la poudre d'aluminate de cuivre dont la granulométrie et la proportion e...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: DIVAKARUNI, RENUKA SHASTRI, FAROOQ, SHAJI, LASKY, HAL, MITCHELL, SURA, VIVEK MADAN, WALL, DONALD RENE, HERRON, LESTER, WYNN, NATARAJAN, GOVINDARAJAN, AOUDE, FARID, YOUSSIF, REDDY, SRINIVASA, S., N, VALLABHANENI, RAO, VENKATESWARA, DAVID, LAWRENCE, DANIEL, MASTREANI, ANTHONY
Format: Patent
Sprache:eng ; fre ; ger
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:Une pâte à base de cuivre est décrite pour le remplissage des traversées et la formation de réseaux de surfaces conducteurs sur les substracts en céramique dans les dispositifs à puces semi-conducteurs. La pâte contient de la poudre d'aluminate de cuivre dont la granulométrie et la proportion en poids sont adéquates de manière à contrôler la dimension des grains et le retrait des traversées et de la couche de cuivre épaisse produits par frittage. Le retrait du matériau cuivre pendant le frittage est adapté précisément à celui du substrat en céramique. A copper-based paste is disclosed for filling vias in, and forming conductive surface patterns on, ceramic substrate packages for semiconductor chip devices. The paste contains copper aluminate powder in proper particle size and weight proportion to achieve grain size and shrinkage control of the via and thick film copper produced by sintering. The shrinkage of the copper material during sintering is closely matched to that of the ceramic substrate.