COMPLEMENTARY BIPOLAR TRANSISTORS HAVING HIGH EARLY VOLTAGE, HIGH FREQUENCY PERFORMANCE AND HIGH BREAKDOWN VOLTAGE CHARACTERISTICS AND METHOD OF MAKING SAME

L'invention se rapporte à des transistors bipolaires complémentaires et à un procédé pour fabriquer de tels transistors sur un substrat à isolation diélectrique. Les deux régions NPN et PNP comportent un émetteur (74, 80) dont la diffusion s'effectue à partir d'un contact en polysilicium d'émetteur (68A, 68B) et une base extrinsèque (52, 56) dont la diffusion s'effectue à partir d'un contact en polysilicium de base (40, 42), le contact en polysilicium de l'émetteur étant séparé du contact en polysilicium de la base par une paroi latérale en oxyde/nitrure. Il est ainsi possible d'obtenir des émetteurs plats et une distance courte entre les émetteurs et les bases extrinsèques, ainsi que des performances élevées. A fabrication process for dielectrically isolated high frequency complementary analog bipolar and CMOS transistors. Polysilicon extrinsic bases, polysilicon emitters with sidewall spacers formed after intrinsic base formation provides high current gain, large emitter-to-base breakdown voltage, large Early voltage, and high cutoff frequency.