PROCESS FOR PURIFYING NITROGEN TRIFLUORIDE GAS

A process for purifying a nitrogen trifluoride gas according to the invention comprises heating a NF3 gas containing N2F2 as an impurity to a specific temperature in a vessel lined with a tough passivated nickel fluoride coating. This process enables the removal of N2F2 gas at a high rate with a sma...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: YAMAGUCHI, TOSHIAKI, HOKONOHARA, HISASHI, HARADA, ISAO
Format: Patent
Sprache:eng ; fre ; ger
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Beschreibung
Zusammenfassung:A process for purifying a nitrogen trifluoride gas according to the invention comprises heating a NF3 gas containing N2F2 as an impurity to a specific temperature in a vessel lined with a tough passivated nickel fluoride coating. This process enables the removal of N2F2 gas at a high rate with a small loss of NF3. Thus, a high-purity NF3 gas favorable as a starting material for a dry etching agent for semiconductors can be obtained with ease and safety by again purifying the NF3 gas, which has been purified by this process, using a known adsorbent. Procédé d'épuration de trifluorure d'azote à l'état gazeux, consistant à chauffer du NF3 gazeux, contenant du N2F2 en tant qu'impureté, à une température spécifique dans un récipient revêtu d'une couche résistante de fluorure de nickel passivée. Ce procédé permet d'éliminer en grande quantité le N2F2 à l'état gazeux avec une faible perte de NF3. On peut ainsi produire aisément et en toute sécurité du NF3 utilisé comme substance de départ pour un agent de gravure à sec de semi-conducteurs, en épurant encore à l'aide d'un adsorbant connu le NF3 gazeux, qui a déjà été épuré par ce procédé.