METAL BUMP FOR A THERMAL COMPRESSION BOND AND METHOD FOR MAKING SAME

On décrit une structure servant à établir une connexion avec un plot conducteur sur un substrat de semi-conducteurs. La structure comprend une couche de passivation vitreuse possédant une épaisseur d'au moins 3 microns qui est déposée sur le plot conducteur. La couche de passivation comporte une ouverture qui met à nu une partie du plot conducteur. Un contact métallique recouvre la partie du plot conducteur mise à nu dans l'ouverture et s'étend en outre par-dessus les bords de la couche de passivation vitreuse de façon à former un scellement entre le plot conducteur et la couche de passivation vitreuse. Une opération de connexion par compression thermique ultérieure sur une telle structure ne provoque pas de ruptures dans la couche de passivation vitreuse en raison de son épaisseur. A structure for bonding to a conductive pad on a semiconductor substrate is described. The structure comprises a glassy passivating layer with a thickness of at least 3 microns deposited over the conductive pad. The passivating layer defines an aperture which exposes a portion of the conductive pad. A metal bump covers the portion of the conductive pad exposed in the aperture and further extends over the edges of the glassy passivating layer so as to form a seal between the conductive pad and the glassy passivating layer. A subsequent thermal compression bonding operation on such structure does not cause fractures in the glassy passivating layer due to its thickness.