METHOD OF MANUFACTURING THERMOELECTRIC DEVICE

This method is characterized in that the thermoelectric elements of a thermoelectric device are made by forming solder plating layers (3) on the surfaces of P- and N-type semiconductors (10a and 10b) each having the Peltier effect, and then by cutting the semiconductors into pieces of desired shapes...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: MORI, YUKOH, 76-2, FUKUURA YUGAWARA-MACHI, IMAIZUMI, HISAAKIRA, KABUSHIKI KAISHA KOMATSU, YAMASHITA, MASAO, KABUSHIKI KAISHA KOMATSU
Format: Patent
Sprache:eng ; fre ; ger
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Beschreibung
Zusammenfassung:This method is characterized in that the thermoelectric elements of a thermoelectric device are made by forming solder plating layers (3) on the surfaces of P- and N-type semiconductors (10a and 10b) each having the Peltier effect, and then by cutting the semiconductors into pieces of desired shapes. Ce procédé est caractérisé en ce que les éléments thermoélectriques d'un dispositif thermoélectrique sont réalisés par formage de couches d'étamage (3) sur les surfaces de semi-conducteurs de types P et N (10a, 10b) présentant chacun l'effet Peltier, et ensuite par découpage des semi-conducteurs en morceaux de formes désirées.