Power semiconductor circuit

Eine Leistungs-Halbleiterschaltung umfasst ein über ein Gate abschaltbares Halbleiterbauelement (FCTh1, FCTh2) mit einer Anode, einer Kathode und einem Gate, eine Diode (D1, D2) und eine Ansteuerschaltung, welche an das Gate durch einen grossflächigen, niederinduktiven Bandleiter (11) angeschlossen ist und welche einen Stromimpuls zum Abschalten des Halbleiterbauelements erzeugt. Die Diode (D1, D2) ist in Serie zum Halbleiterbauelement (FCTh1, FCTh2) angeordnet und zwar so, dass Diode (D1, D2) und Halbleiterbauelement (FCTh1, FCTh2) einen Viertelbrückenzweig bilden. Parallel zur Serieschaltung von Halbleiterbauelement (FCTh1, FCTh2) und Diode (D1, D2) ist ein niederinduktiver Abblockkondensator (C1, C2) zum Auffangen der Reverse Recovery Spannungsspitzen der Diode (D1, D2) vorgesehen. Diode (D1, D2) und Abblockkondensator (C1, C2) sind niederinduktiv und räumlich unmittelbar neben dem Halbleiterbauelement angeordnet. A power semiconductor circuit comprises a gate-turn-off semiconductor component (FCTh1, FCTh2) having an anode, a cathode and a gate, a diode (D1, D2) and a drive circuit which is connected to the gate by a large-area, low-inductance stripline (11) and which generates a current pulse for turning off the semiconductor component. The diode (D1, D2) is arranged in series with the semiconductor component (FCTh1, FCTh2), specifically in such a way that the diode (D1, D2) and semiconductor component (FCTh1, FCTh2) form a quarter-bridge arm. Provided in parallel with the series circuit of the semiconductor component (FCTh1, FCTh2) and diode (D1, D2) is a low-inductance blocking capacitor (C1, C2) for absorbing the reverse recovery voltage peaks of the diode (D1, D2). The diode (D1, D2) and blocking capacitor (C1, C2) are arranged with low inductance and spatially immediately adjacent to the semiconductor component.