SEMICONDUCTIVE STRUCTURES, METHODS FOR CONTROLLING THEIR CONDUCTIVITY AND SENSITIVE ELEMENTS BASED ON THOSE SEMICONDUCTIVE STRUCTURES

Halbleiterstruktur, in der sich die Beimischungskonzentrationen in einem solchen Verhältnis befinden, dass die Anzahl von durch die Beimischung des ersten Leitfähigkeitstyps erzeugten, durch eine dritte Beimischung kompensierten Ladungsträgern der Anzahl von durch die Beimischung eines zweiten Leitfähigkeitstyps erzeugten Ladungsträgern in wesentlichen gleich ist oder diese um maximal eine Grössenordnung überschreitet. Im Verfahren zur Steuerung der Leitfähigkeit der Halbleiterstruktur (1) wird der Stromwert bei der Stromkanalbildung in einem Bereich eingestellt, bei dem in der Halbleiterstruktur (1) eine periodische Änderung der Leitfähigkeit im Stromkanal entsteht, die zu einer Änderung der Leitfähigkeit der gesamten Halbleiterstruktur (1) führt, und am Ausgang der Halbleiterstruktur (1) eine Impulsfolge erzeugt, wobei für die Strukturen (1), bei denen die Anzahl der durch die Beimischung des ersten Leitfähigkeitstyps erzeugten, durch eine dritte Beimischung kompensierten Ladungsträger die Anzahl der durch die Beimischung des zweiten Leitungstyps erzeugten Ladungsträger um nicht mehr als eine Grössenordnung überschreitet, auf die Struktur (1) bei der Stromkanalbildung eingewirkt werden muss. Die Frequenz der Leitfähigkeitsänderung in der Stromkanalzone der Struktur (1) wird durch mindestens eine äussere Einwirkung gesteuert. A semiconductive structure where the relationship between the admixture concentrations is such that the number of carriers generated by an admixture of first-type conductivity and compensated by a third admixture is essentially equal to, or exceeds by no more than one order, the number of carriers generated by an admixture of second-type conductivity. In a method for controlling the conductivity of a semiconductive structure (1), the value of the current in the course of formation of the current column is established within a range where in the semiconductive structure (1) appears a periodical change of conductivity leading to the change of conductivity of the whole semiconductive structure (1) and a pulse sequence is obtained at the output of the semiconductive structure (1). For the structures (1) in which the number of carriers generated by the admixture of first-type conductivity and compensated by the third admixture exceeds by no more than one order the number of carriers generated by the admixture of second-type conductivity, it is necessary to apply an external influence to the structure (1) during the formation of the curren