Process for producing an embedded oxide

Ein Verfahren zur Erzeugung eines versenkten Oxids soll die Herstellung großer Anschluß-Pads bei kleiner Kapazität dieser Anschluß-Pads bei gleichzeitig dickem Oxid auf der Halbleiteroberfläche bei gleichzeitig guter Abbildung von Feinstrukturen auf der Oberfläche eines Transistors insbesondere auch...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	REICHERT, HANSJORG, WEIDLICH, HERBERT. DR, SCHARF, LUDWIG, GOEDECKE, HEIDEMARIE
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre ; ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Ein Verfahren zur Erzeugung eines versenkten Oxids soll die Herstellung großer Anschluß-Pads bei kleiner Kapazität dieser Anschluß-Pads bei gleichzeitig dickem Oxid auf der Halbleiteroberfläche bei gleichzeitig guter Abbildung von Feinstrukturen auf der Oberfläche eines Transistors insbesondere auch bei Kontaktbelichtung ermöglichen. Mit einer Schutzschicht (2) wird ein Bereich (S1) einer Halbleiteroberfläche (1) abgedeckt. Die nicht mit der Schutzschicht (2) abgedeckte Fläche der Halbleiteroberfläche (1) wird geätzt. Dann wird ein Oxid (3) der gewünschten Dicke (b) abgeschieden. Mit einem zweiten Phototechnik-Schritt wird das abgeschiedene Oxid (3) mit einer Struktur (S2) geätzt. Es folgt eine thermische Oxidation mit Aufwachsen einer thermischen Oxidschicht (4), deren Dicke (c) klein ist im Vergleich zur Dicke (b) der abgeschiedenen Oxidschicht (3). Die thermische Oxidschicht (4) wird mit der gewünschten Geometrie strukturiert.