Optical light waveguide switching element, and switching matrix composed of a multitude of such an element
Elément de commutation optique incluant deux guides de lumière parallèles G1 et G2, constitués chacun d'un ruban en un matériau semiconducteur d'indice n1 réalisé sur un substrat semiconducteur d'indice n0 inférieur,la commutation étant déclenchée par l'effet de tensions appliqué...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre ; ger |
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Zusammenfassung: | Elément de commutation optique incluant deux guides de lumière parallèles G1 et G2, constitués chacun d'un ruban en un matériau semiconducteur d'indice n1 réalisé sur un substrat semiconducteur d'indice n0 inférieur,la commutation étant déclenchée par l'effet de tensions appliquées sur des électrodes disposées dans la zone de commutation, caractérisé en ce que cette dernière est constituée par un ruban du même matériau semiconducteur que les guides qui s'étend entre ces derniers sur la longueur D de couplage, entre les abscisses -D/2 et +D/2 repérées sur l'axe de symétrie longitudinal orienté, et en ce que les électrodes sont au moins au nombre de trois, dont une première électrode pour appliquer une tension de référence sur le substrat, une seconde électrode s'étendant sensiblement en surface du second guide de l'abscisse -D à l'abscisse - , étant petit devant D, une troisième électrode s'étendant sensiblement en surface du premier guide de l'abscisse + à l'abscisse +D, les seconde et troisième électrodes formant des rubans dont les axes de symétrie longitudinale font avec les axes optiques des second et premier guides respectivement un angle - défini en première approximation par la relation : ² 2(n1-n0)/n1.
An optical switching element including two parallel optical guides G1 and G2 each constituted by a strip of a semiconductor material having a refractive index n1 formed on a semiconductor substrate having a lower refractive index n0, the switching operation being obtained by the effect of voltages applied to electrodes arranged in the switching zone, characterized in that the latter is constituted by a strip of the same semiconductor material as the guides, which extends between the latter over a coupling length D between the abscissae -D/2 and +D/2 indicated on the orientated longitudinal axis of symmetry, and in that the electrodes are at least three in number, of which a first electrode permits of applying a reference voltage to the substrate, a second electrode extends substantially at the surface of the second guide from the abscissa -D to the abscissa - epsilon , epsilon being small with respect to D, and a third electrode extends substantially at the surface of the first guide from the abscissa + epsilon to the abscissa +D, the second and third electrodes forming strips whose longitudinal axes of symmetry enclose with the optical axes of the second and first guides, respectively, an angle - theta defined on first approximation by the relation: |
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