Method of making a monolithic integrated photodetector

Die Erfindung betrifft einen monolithisch integrierten Photoempfänger bestehend aus mindestens einer PIN-Photodiode mit angekoppeltem Wellenleiter und zumindest einem zugehörigem Verstärker. Dabei sind auf einem Substrat Heterostrukturen selektiv aufgewachsen, derart, daß der optische Wellenleiter und die PIN-Photodiode einen unterschiedlichen Schichtaufbau besitzen. Die seitliche Ankopplung der lichtführenden Halbleiterschicht des Wellenleiters an die absorbierende Halbleiterschicht der PIN-Photodiode erfolgt durch selektives Schichtwachstum. A monolithic integrated photoreceiver consisting of at least one p-i-n photodiode with coupled waveguide and at least one associated amplifier. Heterostructures are selectively grown on a substrate in such a way that the optical waveguide and the p-i-n photodiode have a different layer structure. The lateral coupling of the light-carrying semiconductor layer of the waveguide to the absorbing semiconductor layer of the p-i-n photodiode is done by selective layer growth.