Photoreceiver

Die Erfindung betrifft einen monolithisch integrierten Photoempfänger aus zumindest einer PIN-Diode und mindestens einem HEMT. Der Photoempfänger ist für einen in der Lichtleitfasertechnik nutzbaren Wellenlängenbereich von 0,8 bis 1,55µm geeignet. Die Heterostruktur-Halbleiterschichtenfolge mit inve...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	DAEMBKES, HEINRICH, KOENIG, ULF
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre ; ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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