Photoreceiver
Die Erfindung betrifft einen monolithisch integrierten Photoempfänger aus zumindest einer PIN-Diode und mindestens einem HEMT. Der Photoempfänger ist für einen in der Lichtleitfasertechnik nutzbaren Wellenlängenbereich von 0,8 bis 1,55µm geeignet. Die Heterostruktur-Halbleiterschichtenfolge mit inve...
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| Hauptverfasser: | , |
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| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; fre ; ger |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Volltext bestellen |
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| Zusammenfassung: | Die Erfindung betrifft einen monolithisch integrierten Photoempfänger aus zumindest einer PIN-Diode und mindestens einem HEMT. Der Photoempfänger ist für einen in der Lichtleitfasertechnik nutzbaren Wellenlängenbereich von 0,8 bis 1,55µm geeignet. Die Heterostruktur-Halbleiterschichtenfolge mit invertiert aufgebauter PIN-Diode ist so gewählt, daß im HEMT keine störende laterale Leitfähigkeit auftritt.
A monolithic integrated photoresistor contains at least one 1 p-i-n diode and at least one HEMT. The photoreceiver is suitable for a wavelength of 0.8 to 1.55 mu m which can be used in optical waveguide technology. The heterostructure-semiconductor layer sequence with inverted p-i-n diode is chosen in such a way that no troublesome lateral conductivity occurs in the HEMT. |
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