MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF MAKING THE SAME

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	YAZAWA, YOSHIAKI, HIRAISHI, ATSUSHI, NAGANO, TAKAHIRO, WATANABE, ATSUO, MINAMI, MASATAKA
Format:	Patent
Sprache:	eng
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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