Integrated semiconductor coupling device between a photodetector and a lightwave guide

Dispositif semiconducteur intégré du type dispositif de couplage entre un photodétecteur D et un guide d'onde lumineuse G1 fonctionnant dans une bande de longueurs d'onde données, comprenant d'une part formées successivement en surface d'un substrat S semiconducteur d'un composé III-V une couche de confinement C0 en un composé III-V et une couche C1 transparente pour les longueurs d'onde de fonctionnement en un composé III-V d'indice supérieur à celui de la couche de confinement, couche C1 dans laquelle est réalisé le guide d'onde lumineuse G1, et comprenant d'autre part, une couche C3 absorbante pour les longueurs d'onde de fonctionnement en un composé III-V d'indice supérieur à celui du guide, couche C3 dans laquelle est réalisé le photodétecteur, caractérisé en ce que la couche absorbante C3 est réalisée en surface de la couche transparente C1 de manière telle que le photodétecteur est formé en surface du guide d'onde lumineuse G1 et couplé avec ce dernier parallèlement à son axe sur une longueur donnée L2 dite de couplage dont est fonction la quantité de lumière issue du guide et recueillie par le photodétecteur. Ce dispositif peut être également caractérisé en ce qu'il comprend, réalisée entre la couche transparente C1, alors dite première couche transparente, et la couche absorbante C3, une dite seconde couche C2 transparente pour les longueurs d'onde de fonctionnement, en un composé III-V d'indice compris entre celui de la première couche transparente C1 et celui de la couche absorbante C3, seconde couche transparente C2 dans laquelle est réalisé un second guide d'onde lumineuse G2 dit guide intermédiaire, formé en surface du guide réalisé dans la première couche transparente C1, lequel est alors dit guide principal G1, et couplé avec ce dernier parallèlement à son axe sur une longueur L1 dite de couplage dont est fonction la quantité de lumière issue du guide principal G1 et recueillie par le guide intermédiaire G2. Application:Détecteur et traitement électrooptique d'un signal The device operates within a band of given wavelengths, and comprises, on the one hand, formed in succession on the surface of a semiconductor substrate S of a III-V compound, a confinement layer C0 made of a III-V compound and a layer C1 which is transparent for the operating wavelengths and which is made of a III-V compound of index greater than that of the confinement layer, the optical waveguide G1 being formed in the layer C1, and comprises, on the other hand, a layer C