Process for filling isolation trenches in integrated circuits

Bei einem Verfahren zur Auffüllung von in Siliziumsubstrate (3) zum Zwecke der Isolation der aktiven Bauelemente einer integrierten Schaltung eingebrachte Gräben (1) wird ein Bor-Phosphor-Silikatglas (2) verwendet, welches durch gleichzeitige thermische Zersetzung von Tetraethylorthosilikat, Trimethylborat und Phosphin oder Trimethylphosphat bei 600 bis 700°C in einem Niederdruckreaktor hergestellt worden ist. Durch die Verwendung dieses speziellen Isolationsmaterials (2) bei der Grabenisolationstechnik können enge (1 µm) und tiefe (4 µm) Gräben (1) im µm- und sub µm-Bereich ohne Hohlräume aufgefüllt werden. Das Verfahren wird angewandt bei der Herstellung von hochintegrierten MOS- und Bipolarschaltungen. In a process for filling trenches (1) made in silicon substrates (3) for the purpose of isolating the active components of an integrated circuit, a boron phosphorus silicate glass (2) is used which has been produced by simultaneous thermal decomposition of tetraethyl orthosilicate, trimethyl borate and phosphine or trimethyl phosphate at 600 to 700 DEG C in a low-pressure reactor. As a result of using this special isolating material (2) in the trench isolation technique, narrow (1 mu m) and deep (4 mu m) trenches (1) can be filled in the micrometre and submicrometre region without cavities. The process is used in producing highly integrated MOS and bipolar circuits.