High-frequency power transistor

The transistor comprises, in addition to a substrate (11) and three electrodes, gate, source and drain (13, 14, 15), at least one active layer (12) and two contact take-off regions (16, 17). To avoid the formation of a high-density electric field at the junctions between the active layer (12) of n type and the regions (16, 17) of n+ type, the transition material (18, 19) between active layer (12) and regions (16, 17) is doped with continuous gradual transition, from the n type near (20, 22) the active layer (12), to the n+ type near (21, 23) the contact take-off regions (16, 17). The gradual doping is done by focused ion-beam implantation. Application to hyperfrequency integrated power circuits. L'invention concerne un transitor hyperfréquence de puissance. Le transistor selon l'invention comporte, outre un substrat (11) et trois électrodes de grille, source et drain (13, 14, 15), au moins une couche active (12) et deux régions (16, 17) de prises de contacts. Pour éviter la formation d'un champ électrique de forte densité aux jonctions entre la couche active (12) de type n, et les régions (16, 17) de type n, le matériau de transition (18, 19) entre couche active (12) et régions (16, 17) est dopé avec transition progressive continue, depuis le type n à proximité (20, 22) de la couche active (12) jusqu'au type n à proximité (21, 23) des régions (16, 17) de prises de contacts. Le dopage progressif se fait par implantation à faisceaux d'ions focalisés. Application aux circuits intégrés hyperfréquence de puissance.