METHOD OF MAKING AN INTEGRATED FERROELECTRIC DEVICE, AND DEVICE PRODUCED THEREBY

Dispositif mixte à circuit intégré/mémoire ferroélectrique dans lequel du nitrate de potassium de la phase III est utilisé comme matériau ferroélectrique et qui apparait dans le dispositif final seulement aux traversées des électrodes supérieures et inférieures. La méthode de fabrication peut faire appel à l'usinage ionique et à l'enlèvement par combustion du produit de réserve qui reste. Une méthode de fabrication d'un dispositif ferroélectrique intégré comprend les étapes suivantes: (a) création d'une première couche non conductrice (93) près des circuits de décodage (68) d'un circuit intégré (60); (b) création de voies (74-80) à travers la couche (73); (c) création de tranchées (89-95) dans la couche (73) près des voies (74-80); (d) remplissage complet des voies (74-80) et remplissage partiel des tranchées (89-95) par un premier métal (98); (e) remplissage des vides dans les tranchées (89-95) par un deuxième matériau non conducteur (99); (f) planage de la surface supérieure (100) de la couche (73), du métal (98) et de la matière (99); (g) création d'une deuxième couche non conductrice (102) sur la surface (100); (h) création de passages (103-113) à travers la couche (102) près des tranchées (89-95); (i) création d'une couche ferroélectrique (116) devant recouvrir la couche (102) et une partie en métal (98); (j) création d'une deuxième partie en métal (117) devant recouvrir la couche (116); (k) enlèvement des parties en métal non désirées (117), ainsi que de la couche (116) et de la couche (102); (l) création d'une troisième couche métallique pour recouvrir le reste (121) du métal (117) et de la couche (102), et les parties exposées (120) de la couche (116) et du premier métal (98) et (m) enlèvement des parties non désirées de la troisième couche métallique. A combined integrated circuit/ferroelectric memory device using Phase III potassium nitrate as the ferroelectric material and which appears in the final device only at the crossover points of the top and bottom electrodes. The method of fabrication may use ion milling and ashing off of remaining resist. A method of making an integrated ferroelectric device comprising the steps of: (a) forming a first non-conductive layer (73) close to decode circuitry (68) of an integrated circuit (60); (b) forming channels (74-80) through layer (73); (c) forming trenches (89-95) in layer (73) next to channels (74-80); (d) completely filling channels (74-80) and partially filling trenches (89-95) with a first metal (