Compact combiner of semiconductor devices operating in the microwave domain

L'invention concerne un combineur de dispositifs semiconducteurs hyperfréquences, diodes ou transistors, montés selon une topologie qui permet d'en regrouper plusieurs sur une embase prévue pour un seul dispositif. Les dispositifs semiconducteurs (1) à l'état solide dissipent peu d'énergie, et sont associés à des lignes microbandes (71). Pour augmenter la puissance dissipée en regroupant une pluralité de pastilles semiconductrices sans changer l'embase (10), il est nécessaire de pouvoir replier les lignes microbandes (71) ou les raccourcir. Un substrat (12) très mince (H 35, pour le substrat (12) permet de diminuer la longueur des microbandes (71), placées concentriques autour des pastilles. Applications aux dispositifs émettant plusieurs dizaines de watts hyperfréquences : radars, faisceaux hertziens. A metallic support supports a number of semi-conductor devices surrounded by an annular dielectric substrate which in turn supports a circuit including at least two microstrip lines and a metallic circular output element. The small thickness and high dielectric constant of the substrate are selected to permit a reduction in width and in length of the microstrip lines which are folded-back in a curvelinear fashion and placed on the substrate along circular arcs which are concentric with the output element.