Semiconductor switching circuit for an inductive Load
Le circuit a transistors Darlington possede trois etages et comprend un transistor de puissance (T3), un transistor d'attaque (T2) et un transistor d'entree (T1). Les collecteurs de ces trois transistors sont relies entre eux, tandis que l'emetteur du transistor d'attaque (T2) es...
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Format: | Patent |
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Zusammenfassung: | Le circuit a transistors Darlington possede trois etages et comprend un transistor de puissance (T3), un transistor d'attaque (T2) et un transistor d'entree (T1). Les collecteurs de ces trois transistors sont relies entre eux, tandis que l'emetteur du transistor d'attaque (T2) est relie a la base du transistor de puissance (T3) et l'emetteur du transistor d'entree (T1) est relie a la base du transistor d'attaque (T2). La base du transistor d'attaque (T2) est egalement reliee a une borne d'une premiere resistance (R1) dont l'autre borne est connectee a l'anode d'une diode Zener (ZD). Sur la jonction base-emetteur du transistor d'attaque (T2) est montee en parallele une deuxieme resistance (R2). Grace a la presence de la diode Zener (ZD) et des deux resistances (R1, R2), le transistor d'attaque (T2) et le transistor de puissance (T3) deviennent passants lors de l'obtention d'une tension donnee sur la cathode de la diode Zener (ZD), tandis que la variation, en fonction de la temperature, de cette tension d'insertion est determinee par le rapport de ces deux resistances.
PCT No. PCT/DE82/00045 Sec. 371 Date Jan. 27, 1983 Sec. 102(e) Date Jan. 27, 1983 PCT Filed Mar. 5, 1982 PCT Pub. No. WO82/04509 PCT Pub. Date Dec. 23, 1982.A three-stage Darlington transistor circuit having a power transistor (T3), a driver transistor (T2) and an initial transistor (T1) is provided. The collectors of these three transistors are connected with one another, while the emitter of the driver transistor (T2) is connected to the base of the power transistor (T3), and the emitter of the initial transistor (T1) is connected to the base of the driver transistor (T2). Connected to the base of the driver transistor (T2) is a series circuit comprising a first resistor (R1), which is connected directly to this base, and a Zener diode (ZD), the anode of the Zener diode being connected with the resistor (R1); and a second resistor (R2); the second resistor (R2) is connected in parallel to the emitter-base path of the driver transistor (T2). Upon the attainment of a predetermined voltage at the cathode of the Zener diode (ZD), the driver transistor (T2) and the power transistor (T3) are switched ON. The temperature dependency of this switch-on voltage can be adjusted by varying the resistance ratio of these two resistors (R1, R2). |
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