Monolithic integrated push-pull driver circuit

Zur Verringerung der Störspannung, die beim Schalten einer Gegentakt-Treiberstufe in den niedrigen Ausgangspegel auf der Masseleitung (ML) aufgrund von deren Induktivität (L1) entsteht, ist zwischen den Emitter des bei niedrigem Ausgangspegel leitenden Ausgangstransistors (T3) und der Masseleitung (ML) ein weiterer Transistor (T4) angeordnet. Seine Basis ist an den einen Pol einer Referenz-Gleichspannungsquelle (URo) angeschlossen. Deren zweiter Pol ist mit der Masse-Ebene (ME) einer Schaltkarte verbunden, auf der das die Gegentakt-Treiberschaltung enthaltende Halbleiterchip über ein Substrat befestigt ist. Die Referenz-Gleichspannungsquelle (URo) hält das Basispotential des weiteren Transistors (T4) fest. Ihre Spannung ist so gewählt, daß nach dem Leitendwerden des Ausgangstransistors (T3) auch der weitere Transistor (T4) voll leitet. Wenn beim Leitendwerden des Ausgangstransistors (T3) sich infolge des Stromanstiegs eine Störspannung an der Induktivität (L1) der Masseleitung (ML) ausbildet, wird dadurch das Emitterpotential des weiteren Transistors (T4) angehoben. Da sein Basispotential durch die Referenz-Gleichspannungsquelle (UR) festgehalten wird, wird dieser Transistor weniger gut leitend. Damit kann der ihn und den Ausgangstransistor (T3) durchfließende Strom nicht so rasch ansteigen, wie das ohne den weiteren Transistor (T4) der Fall wäre. Der verlangsamte Stromanstieg bedingt aber eine verringerte Störspannung.