Process for the formation of isolation regions in silicon

Bei dem Verfahren zur Herstellung von Isolationsbereichen in Silicium werden tiefe, breite Gräben in die planare Oberfläche eines Siliciumsubstrats geätzt; eine dünne SiO2-Schicht auf der planaren Oberfläche des Substrats und auf den Oberflächen der Gräben gebildet; eine Glasharzschicht auf die planare Oberfläche des Substrats aufgetragen und die Gräben mit Glasharz ausgefüllt und ein Teil des Glasharzes von der planaren Oberfläche des Substrats mittels Schleudern entfernt. Nach dem Härten des Substrats erfolgt eine Bestrahlung des Glasharzes in den Gräben mit Elektronenstrahlen, eine Entwicklung mit Lösungsmittel und Erhitzen des Substrats in Sauerstoffatmosphäre zur Umwandlung des Glasharzes in den Gräben in Siliciumdioxid. Um eine planare Oberfläche zu erhalten, wird eine Siliciumdioxidschicht auf die Oberfläche des Substrats aufgetragen und diese anschließend bis zum Siliciumsubstrat wieder abgetragen. Das Verfahren wird in integrierten Schaltungen verwendet, um Schaltungselemente voneinander zu isolieren. A planar deep oxide isolation process for providing deep wide silicon dioxide filled trenches in the planar surface of a silicon semiconductor substrate, said process comprising the steps: (a) forming deep wide trenches in the planar surface of the silicon substrate; (b) forming a thin layer of silicon dioxide on the planar surface of the silicon substrate and the exposed silicon surfaces of said deep wide trenches; (c) applying resin glass (polysiloxane) to the planar surface of said semiconductor substrate and within said deep wide trenches; (d) spinning off at least a portion of the resin glass on the planar surface of the substrate; (e) baking the substrate at a low temperature; (f) exposing the resin glass contained within the deep wide trenches of substrate to the energy of an E-beam; (g) developing the resin glass contained on said substrate in a solvent; (h) heating said substrate in oxygen to convert said resin glass contained within said deep wide trenches to silicon dioxide; (i) depositing a layer of silicon dioxide to provide a planar silicon dioxide surface on the exposed the surface of said substrate; and (j) planarize exposed silicon dioxide surface to silicon of substrate. A planar deep oxide isolation process for providing deep wide silicon dioxide filled trenches in the planar surface of a silicon semiconductor substrate as recited in the preceding paragraph, wherein the following steps are performed in lieu of step i of claim 1, sa