Process for the hydrogenation of semiconductor devices

L'invention concerne un procédé de traitement de dispositifs à semiconducteurs (20) ainsi qu'un appareil (10) pour la mise en oeuvre de ce procédé. Le traitement consiste à créer un plasma d'hydrogène (22) au moyen d'un système apte à éloigner du dispositif traité les particules de plasma polarisées positivement, un tel système pouvant être un système capacitif présentant deux électrodes (14,16) planes et parallèles polarisées de façon à constituer une anode (16) et une cathode (14), le dispositif à semiconducteur (20) étant alors disposé entre les électrodes, au niveau de l'anode (16) et, de préference chauffe (18) pendant la création du plasma. Application à la suppression des défauts présentés par les dispositifs à semiconducteurs. The invention relates to a process and to an apparatus for treating semiconductor devices. A hydrogen plasma is created in the vicinity of the semiconductor devices and the positively polarized plasma particles are removed therefrom. A tightly sealed enclosure is provided and contains two plane, parallel electrodes polarized so as to form an anode and a cathode. Heating means are located in the vicinity of the anode.