Process for the chemical etching of silicon substrates

Beim Aetzen von Silicium-Substraten wird eine Substrat-Schutzschicht verwendet, die mindestens bereichsweise als Maske dient; als Schutzschicht wird eine am Substrat haftende Schicht aus mineralischem Glas verwendet; die Schutzschicht kann durch Auftragen einer Mischung, die feinteiliges mineralisches Glas und Bindemittel oder eine zur Bildung von mineralischem Glas bei Erhitzen befähigte Zusammensetzung enthält, auf das Si-Substrat, und Erhitzen der Mischung zur Bildung einer auf dem Si-Substrat haftenden Schicht aus mineralischem Glas gebildet werden; bei Verwendung von fotopolymerisationsfähigen Komponenten in der Mischung kann die Aetzmaske aus Glas auf fotolithographischem Wege erzeugt werden. A method of etching a silicon-substrate, wherein a protective layer is formed on the substrate and serves as an etching mask, at least one some areas of the surface of the substrate. A layer of mineral glass, adhering to the substrate, is used for this protective coating. The protective layer can be formed by the application of a mixture containing finely dispersed mineral glass and fixing agents, or a composition which will form mineral glass when heated, to the Si-substrate, by heating the mixture to form a layer of mineral glass adhering to the Si-substrate. If photo-polymerizable components are used in this mixture, the etching mask of glass may be produced by way of photolithography. The invention further includes a Si-substrate provided with a mineral glass protective layer.