Method of making a field effect transistor with insulated gate and very narrow effective channel

Le procédé comprend la formation des régions de protection de champ (14) sous les régions d'oxyde encastré (12), et d'une couche superficielle de canal (16) dans un substrat silicium (10). On forme un masque composite (couche de SiO2) (18), couche de polysilicium (20), couche de SiO2 (22),...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	BASSOUS, ERNEST, OSBURN, CARLTON MORRIS, NING, TAK HUNG
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre ; ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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