Method of manufacturing semiconductor devices comprising recessed silicon oxide regions

- Perfectionnement aux procédés de fabrication de dispositifs semi-conducteurs. -Ce procédé évite l'apparition du phénomènedit du "bec d'oiseau" et permet cependant, le dépôt direct du masque en Si3N4 sur le substrat de silicium. Il comporte les étapes suivantes; (A) élaboration d'un substrat semi-conducteur typiquement de silicium (10); (B) implantation d'ions neutres (argon) dans la couche superficielle (20) du substrat pour l'endommager, et la rendre quasiment amorphe, cette étape est suivie d'un recuit; (C) formation sur ladite couche d'un masque (14) en nitrure de silicium (Si3N4) selon une configuration désirée; (D) oxydation des portions exposées du substrat pour former des régions (16) de bioxyde de silicium encastrées. -Application à la fabrication de dispositifs semiconducteurs à isolement par des régions en matériau diélectrique encastrées à grande densité d'intégration. A method of manufacturing semiconductor devices of the type wherein regions of oxide such as silicon oxide recessed or inset in a silicon substrate are formed by oxidation of the silicon with the use of a masking layer protecting locally against the oxidation. In order to prevent the formation of a projecting oxide beak under the masking layer a nitride oxidation mask is applied directly to the substrate which has been previously ion-implanted to a controlled depth and then annealed to generate a dense dislocation network array on the substrate surface to prevent mechanical stress defects which normally would occur when a nitride mask is applied directly to a substrate.