METHOD OF TESTING INTEGRATED CIRCUITS FOR THERMAL-FIELD STABILITY

The invention is related to the field of microelectronics and can be used for control of the wafer ionic contamination level in production of integrated circuits and semiconductor devices. The essence of the invention consists in provision of a method of testing integrated circuits for thermal-field stability comprising placement of a manufactured semiconductor wafer with integrated circuit chips on a heated table with a contact device, the first measurement of MIS transistor threshold voltage, holding with positive polarity voltage applied to the gate relative to the substrate at an electric field intensity of 2-3 MV/cm at an elevated temperature of 160-200°C, the second measurement of MIS transistor threshold voltage, determination of the thermal-field stability value as the difference between the first and the second measurements of MIS transistor threshold voltage; wherein the first and the second measurements of MIS transistor threshold voltage are performed at an elevated temperature, and, before the first measurement of MIS transistor threshold voltage, negative voltage is applied to the gate and the drain. The technical result of the invention is acceleration and automation of the thermal-field stability testing process. Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для контроля уровня загрязнения пластин ионами при производстве интегральных микросхем и полупроводниковых приборов. Сущность изобретения заключается в том, что способ проведения испытаний на термополевую стабильность интегральных микросхем, включающий размещение изготовленной полупроводниковой пластины с кристаллами интегральной микросхемы на подогреваемом столике с контактирующим устройством, проведение первого измерения порогового напряжения МДП-транзистора, проведение выдержки при подаче напряжения положительной полярности на затвор относительно подложки и напряжённости электрического поля 2-3 МВ/см при повышенной температуре 160-200°C, проведение второго измерения порогового напряжения МДП-транзистора, определение величины термополевой стабильности как разности между вторым и первым измерениями порогового напряжения МДП-транзистора; причём первое и второе измерения порогового напряжения МДП-транзистора проводят при повышенной температуре и перед первым измерением порогового напряжения МДП-транзистора на затвор и сток подают отрицательное напряжение. Техническим результатом изобретения является ускорение и автоматизация процесса проведения испытаний на т