SCHOTTKY DIODE MANUFACTURING METHOD

The invention is related to semiconductor devices manufacturing processes, in particular, to a method for manufacturing powerful Schottky diode chips that can be used, e.g., as AC rectifiers in power electronics devices. The objective of the invention is reduction of specific consumption of platinum without an increase in reverse current level. The essence of the invention is that in a Schottky diode manufacturing method comprising formation of a Schottky electrode by application of nickel-platinum-vanadium alloy film to an oxidized heavily doped silicon substrate of a first conductivity type with a lightly doped epitaxial layer of the same conductivity type and a guard ring of a second conductivity type formed in the epitaxial layer, with a contact window opened in silicon oxide, heat treatment in an inert or reducing environment at a temperature of 200 to 450°C during a time interval of 60 to 300 min, heat treatment in an inert or reducing environment at a temperature of 525 to 575°C during a time interval of 15 to 60 min, removal of unreacted residues of nickel-platinum-vanadium alloy, formation of anode metallization by successive application of layers of vanadium, aluminium or aluminium alloys, nickel and silver followed by photolitography, creation of cathode metallization by successive application of layers of titanium, nickel and silver, the nickel-platinum-vanadium alloy film having a thickness of 10 to 20 nm. Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, а более конкретно - к способу изготовления кристаллов мощных диодов Шоттки, и может быть использовано, например, для изготовления выпрямителей переменного тока для изделий силовой электроники. В основу настоящего изобретения положена задача уменьшения удельного расхода платины без увеличения уровня обратного тока. Сущность изобретения заключается в том, что в способе изготовления диода Шоттки, включающем формирование электрода Шоттки нанесением плёнки сплава никель-платина-ванадий на окисленную сильнолегированную кремниевую подложку первого типа проводимости со сформированным слаболегированным эпитаксиальным слоем того же типа проводимости, со сформированным в эпитаксиальном слое охранным кольцом второго типа проводимости и вскрытым в окисле кремния контактным окном, термообработкой в инертной или восстановительной среде при температуре от 200 до 450°С в течение интервала времени, составляющего от 60 до 300 мин, термообработкой в инертной или восстановительной среде