SCHOTTKY DIODE

The invention is related to electronic engineering, in particular, to design of a chip of powerful Schottky diodes, and can be used, e.g., as rectifiers in products of power electronics. The present invention is based on the task of reduction of reverse current in a Schottky diode and a decrease in specific rhenium consumption. The essence of the invention is that in a Schottky diode comprising a highly-doped silicon substrate of n-type conductivity with an oxidated, lightly doped epitaxial layer of the same conductivity type and a guard ring of p-type conductivity forming a p-n junction, a window opened in silicon oxide, a 0.05-0.5 μm recess made in the window, a Schottky diode barrier layer and a contact electrode, the Schottky diode barrier layer consists of two layers: the lower layer is made of rhenium having a thickness of 5.0 to 15.0 nm, and the upper layer is formed of molybdenum 100 to 300 nm thick. Изобретение относится к электронной технике, а более конкретно - к конструкции кристалла мощных диодов Шоттки, и может быть использовано, например, в качестве выпрямителей в изделиях силовой электроники. В основу настоящего изобретения положена задача снижения обратного тока диода Шоттки и уменьшения удельного расхода рения. Сущность изобретения заключается в том, что в диоде Шоттки, содержащем сильнолегированную кремниевую подложку n-типа проводимости со сформированным окисленным слаболегированным эпитаксиальным слоем того же типа проводимости и охранным кольцом р-типа проводимости, образующим р-n переход, вскрытое в окисле кремния окно, сформированное в окне углубление величиной 0,05-0,5 мкм, барьерный слой электрода Шоттки, контактный электрод; барьерный слой электрода Шоттки выполняют двуслойным: нижний слой формируют из рения толщиной от 5,0 до 15,0 нм, а верхний слой формируют из молибдена толщиной от 100 до 300 нм.